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1.  keil for MSC51

關(guān)鍵字code

code unsigned char array[8]={}

2.  IAR for AVR(摘抄)

FLASH常用類型的具體操作方法

(1) FLASH 區(qū)域數(shù)據(jù)存儲。
用關(guān)鍵字 __flash 控制來存放， __ flash 關(guān)鍵字寫在數(shù)據(jù)類型前后效果一樣
__flash unsigned char a;//定義一個變量存放在flash空間
unsigned char __flash a;//效果同上
__flash unsigned char p[];//定義一個數(shù)組存放在flash空間
對于flash空間的變量的讀操作同SRAM數(shù)據(jù)空間的操作方法一樣，編譯器會自動用
LPM，ELPM 指令來操作。
例：
#i nclude
__flash unsigned char p[];
__flash unsigned char a;
void main(void)
{PORTB=p[1];// 讀flash 數(shù)組變量的操作
PORTB=a;// 讀flash 變量的操作
}
由于在正常的程序中，flash 空間是只讀的，所以沒有賦值的變量是沒有意義的。定義常數(shù)在flash 空間，只要給變量賦與初值就可以了。由于常數(shù)在flash空間的地址是隨機(jī)分配的，讀取變量才可以讀取到常數(shù)值。
IAR-AVR –C 編譯器簡要指南
__flash unsigned char a="9";//定義一個常數(shù)存放在flash空間。
__flash unsigned char p[]={1，2，3，4，5，6，7，8};
//定義一個組常數(shù)存放在flash 空間。
例：
#i nclude
__flash unsigned char p[]={1,2,3,4,5,6,7,8};
__flash unsigned char a="9";
void main(void)
{
   PORTB="a";//讀取flash 空間值9
   PORTC="p"[0]; //讀取flash 空間值
}

(2)flash 空間絕對地址定位：
__flash unsigned char a @ 0x8;//定義變量存放在flash 空間0X08單元__flash unsigned char p[] @ 0x22//定義數(shù)組存放在flash 空間，開始地址為0X22單元
__flash unsigned char a @ 0x08=9;//定義常數(shù)存放在flash 空間0X08單元
__flash unsigned char p[] @ 0x22={1，2，3，4，5，6，7，8};
//定義一個組常數(shù)存放在EEPROM空間開始地址為0X22單元
由于常數(shù)在flash 空間的地址是已經(jīng)分配的，讀取flash 空間值可以用變量和地址。

(3) 與 __flash 有關(guān)的指針操作。 __flash 關(guān)鍵字控制指針的存放和類型。
指向flash 空間的SRAM指針(控制類型屬性）
unsigned char __flash * p;//定義指向flash 空間地址的指針，8位。
unsigned int __flash * p;//定義個指向flash 空間地址的指針，16位。
unsigned int __farflash * p;//定義指向flash 空間地址的指針，24位。
unsigned int __hugeflash * p;//定義指向flash 空間地址的指針，24位。
unsigned char __flash * p;//定義一個指向flash 空間地址的指針，指針本身存放在SRAM中。P的值代表flash 空間的某一地址。*p表示flash 空間該地址單元存放的內(nèi)容。例：假定p=10,表示flash空間地址10單元，而flash 空間10單元的內(nèi)容就用*p來讀取。
例：
#i nclude
char __flash t @ 0x10 ;
char __flash *p ;
void main(void)
{
PORTB=*p;//讀取flash 空間10單元的值
PORTB=*（p+3）;//讀取flash 空間0x13單元的值
}

存儲于flash 空間的指針數(shù)據(jù)指針
就象存儲與flash 空間的數(shù)據(jù)一樣控制存儲屬性
__flash unsigned char * p; //定義指向SARMM空間地址的指針，指針本身存放在flash 中。

控制數(shù)據(jù)和指針存放的__flash 定義必須是全局變量，控制類型屬性（好像只有指針）可以是局部變量。
#i nclude
__flash unsigned char p;//控制存放
void main(void)
{
unsigned char __flash * t;//控制屬性
PORTB=p;
PORTB=*t;
}

(4) __root 關(guān)鍵字保證沒有使用的函數(shù)或者變量也能夠包含在目標(biāo)代碼中.
定義存放在__flash 空間的數(shù)據(jù)在程序編譯時會自動生成代碼嵌入到flash代碼中，對于程序沒有使用也要求編譯的數(shù)據(jù)（比如可以在代碼中嵌入你的版本號，時間等）必須加關(guān)鍵字__root 限制。
例：
#i nclude
__root __flash unsigned char p @ 0x10 =0x56;
void main(void)
{}
程序沒有使用P變量，編譯也會生成該代碼。
:020000020000FC
:1000000016C018951895189518951895189518955F
:10001000569518951895189518951895189518953A
:10002000189518951895089500008895FECF0FE94A
:100030000DBF00E00EBFC0E8D0E003D0F4DFF4DF76
:06004000F3CF01E008957A
:0400000300000000F9
:00000001FF

(5)flash 操作宏函數(shù)：在comp_a90.h intrinsics.h頭文件里有詳細(xì)說明。flash 空間具正常情況下有只讀性能，對于讀flash 數(shù)據(jù)編譯器會自動編譯對應(yīng)的LPM,ELPM指令，但對于flash 空間的自編程寫命令SPM就沒有對應(yīng)的C指令了，這里不講解詳細(xì)的自編程方法，只是講解一下對flash 的讀寫函數(shù)。
直接在程序中讀取flash 空間地址數(shù)據(jù)：要包含intrinsics.h頭文件
__load_program_memory(const unsigned char __flash *);//64K空間
//從指定flash 空間地址讀數(shù)據(jù)。該函數(shù)在intrinsics.h頭文件里有詳細(xì)說明。
在comp_a90.h文件有它的簡化書寫_LPM(ADDR)。注意匯編指令LPM Rd ,Z中的Z是一個指針。所以用(const unsigned char __flash *)來強(qiáng)制轉(zhuǎn)換為指向flash空間地址指針。故該條宏函數(shù)的正確寫法應(yīng)該如下：
__load_program_memory(（const unsigned char __flash *）ADDR);
例：
#i nclude
#i nclude
void main(void)
{PORTB=__load_program_memory((const unsigned char __flash *)0x12);
}
該條函數(shù)書寫不方便，在comp_a90.h文件有簡化：
#define _LPM(ADDR) __load_program_memory (ADDR)稍微方便一點。改為
#define _LPM(ADDR) __load_program_memory ((const unsigned char
__flash *)ADDR)就更方便了，直接使用數(shù)據(jù)就可以了。
例：
#i nclude
#i nclude
#i nclude
void main(void)
{
PORTB=__LPM(0x12);// 從指定flash 空間地址單元0x12中讀數(shù)據(jù)
}
__extended_load_program_memory(const unsigned char __farflash *);
//128K空間_ELPM(ADDR); //128K空間
參照上面的理解修改可以書寫更簡單。

(6)自編程函數(shù)：
_SPM_GET_LOCKBITS()；//讀取縮定位
_SPM_GET_FUSEBITS()；//讀取熔絲位
_SPM_ERASE(Addr)；//16位頁擦除
_SPM_FILLTEMP(Addr,Word)；//16位頁緩沖
_SPM_PAGEWRITE(Addr；)//16位頁寫入
_SPM_24_ERASE(Addr)； //24位頁擦除
_SPM_24_FILLTEMP(Addr,Data)； //24位頁緩沖
_SPM_24_PAGEWRITE(Addr) //24位頁寫入

3. AVR GCC for AVR

AVR具有三種存儲器：FLASH，SRAM和EEPROM。AVR-GCC將程序代碼放在FLASH，數(shù)據(jù)放在SRAM。
(1)．程序存儲器
如果要將數(shù)據(jù)（如常量，字符串，等等）放在FLASH里，用戶需要指明數(shù)據(jù)類型__attribute__((progmem))。為了方便使用，AVR-GCC定義了一些更直觀的符號，如下表所示。包含在頭文件pgmspace.h中

#include
類型 定義
prog_void void __attribute__((progmem))
prog_char char __attribute__((progmem))
prog_int int __attribute__((progmem))
prog_long long __attribute__((progmem))
prog_long_long long long __attribute__((progmem))
PGM_P const prog_char *
PGM_VOID_P prog_void const*

example code: m16 timer1 project

const char NumberCode[12] PROGMEM ={'K','e','y', ' ' , ' ' , ' ' ,'N','u','m','b','e','r'};

PGM_P pstr="NumberCode";            //FLASH內(nèi)存的數(shù)據(jù)類型為char，pstr是指向FLASH的指針，其值是16位

pgm_read_byte(pstr++)          //讀FLASH內(nèi)的數(shù)據(jù)，pstr內(nèi)容是FLASH 16地址
提供的庫函數(shù)有：
1．__elpm_inline
用法：uint8_t __elpm_inline(uint32_t addr);
說明：執(zhí)行ELPM指令從FLASH里取數(shù)。參數(shù)為32位地址，返回一個8位數(shù)據(jù)。
2．__lpm_inline
用法：uint8_t __elpm_inline(uint16_t addr);
說明：執(zhí)行LPM指令從FLASH里取數(shù)。參數(shù)為16位地址，返回一個8位數(shù)據(jù)。
3．memcpy_P
用法：void* memcpy_P(void* dst, PGM_VOID_P src, size_t n);
說明：memcpy的特殊版本。完成從FLASH取n個字節(jié)的任務(wù)。
4．PRG_RDB
用法：uint8_t PGR_RDB(uint16_t addr);
說明：此函數(shù)簡單地調(diào)用__lpm_inline
5．PSTR
用法：PSTR（s）;
說明：參數(shù)為字符串。功能是將其放在FLASH里并返回地址。
6．strcmp_P
用法：int strcmp(char const*, PGM_P);
說明：功能與strcmp()類似。第二個參數(shù)指向程序存儲器內(nèi)的字符串。
7．strcpy_P
用法：char* strcpy_P(char*, PGM_P);
說明：功能與strcpy()類似。第二個參數(shù)指向程序存儲器內(nèi)的字符串。
8．strlen_P
用法：size_t strlen_P(PGM_P);
說明：功能與strlen()類似。第二個參數(shù)指向程序存儲器內(nèi)的字符串。
9．strncmp_P
用法：size_t strncmp_P(char const*, PGM_P, size_t);
說明：功能與strncmp()類似。第二個參數(shù)指向程序存儲器內(nèi)的字符串。
10．strncpy_P
用法：size_t strncpy_P(char*, PGM_P, size_t);
說明：功能與strncpy()類似。第二個參數(shù)指向程序存儲器內(nèi)的字符串。

(2)．EEPROM
AVR內(nèi)部有EEPROM，但地址空間與SRAM的不相同。在訪問時必須通過I/O寄存器來進(jìn)行。EEPROM API封裝了這些功能，為用戶提供了高級接口。使用時要包含eeprom.h。在程序里定義EEPROM數(shù)據(jù)的例子如下：
static uint8_t variable_x __attribute__((section(".eeprom"))) = 0;
不同的AVR器件具有不同數(shù)目的EEPROM。鏈接器將針對不同的器件分配存儲器空間。
1． eeprom_is_ready
用法：int eeprom_is_ready(void);
說明：此函數(shù)用于指示是否可以訪問EEPROM。如果EEPROM正在執(zhí)行寫操作，則在4ms內(nèi)無法訪問。此函數(shù)查詢相應(yīng)的狀態(tài)位來指示現(xiàn)在是否可以訪問EEPROM。
2． eeprom_rb
用法：uint8_t eeprom_rb(uint16_t addr);
說明：從EEPROM里讀出一個字節(jié)的內(nèi)容。參數(shù)addr用于指示要讀出的地址。_EEGET(addr)調(diào)用此函數(shù)。
3． Eeprom_read_block
用法：void eeprom_read_block(void* buf, uint16_t addr, size_t n);
說明：讀出一塊EEROM的內(nèi)容。參數(shù)addr為起始地址，n表明要讀取的字節(jié)數(shù)。數(shù)據(jù)被讀到SRAM的buf里。
4． eeprom_rw
用法：unint16_t eeprom_rw(uint16_t addr);
說明：從EEPROM里讀出一個16位的數(shù)據(jù)。低字節(jié)為低8位，高字節(jié)為高8位。參數(shù)addr為地址。
5． eeprom_wb
用法：void eeprom_wb(uint16_t addr, uint8_t val);
說明：將8位數(shù)據(jù)val寫入地址為addr的EEPROM存儲器里。_EEPUT（addr，val）調(diào)用此函數(shù)。